參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管)
中文描述： 17 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 97K
代理商： IRF530N
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF530N
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.8. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
175 C
Threshold Voltage, VGS(TO) (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Junction Temperature, Tj (C)
typical
maximum
minimum
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
175 C
VDS > ID X RDS(ON)
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
maximum
Normalised On-state Resistance
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
-60
-40
-20
0
Junction temperature, Tj (C)
20
40
60
80
100 120 140 160 180
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
August 1999
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF540CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP
IRF541FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
IRF542FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRF543FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRF540S N-channel TrenchMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF530N_R4942 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530ND 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP
IRF530NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF530NL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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