參數(shù)資料
型號： IRF530FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： IRF530FI
IRF530NS/L
www.irf.com
9
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF530 N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated
IRF530R N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated
IRF530PBF Dynamic dv/dt Rating, Fast Switching, Ease of Paralleling, Simple Drive Requirements
IRF530 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530H 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES
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IRF530N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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