參數(shù)資料
型號(hào): IRF520NS
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.20ohm,身份證\u003d 9.7A)
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 185K
代理商: IRF520NS
IRF520NS/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 2.3A
4.0A
BOTTOM 5.7A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF520VL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520VS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520 N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
IRF520 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
IRF520N Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF520NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF520NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin (2+Tab) D2PAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF520NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF520NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF520NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube