參數(shù)資料
型號: IRF443R
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-204AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 7A條(?。﹟對204AA
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 46K
代理商: IRF443R
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF450R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA
IRF451R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-204AA
IRF452R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA
IRF453R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA
IRF720R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF448 制造商:International Rectifier 功能描述:
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IRF450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF450 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR
IRF450_10 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET