參數(shù)資料
型號： IRF3708SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET MOSFET的開關(guān)電源功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF3708SPBF
IRF3708/S/LPbF
www.irf.com
9
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
EXAMPLE:
LINE C
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
PART NUMBER
PART NUMBER
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
YEAR 7 = 1997
P = PRODUCT (OPTIONAL)
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 19
DATE CODE
OR
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3710LPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF3710SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
IRF3711LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3711SPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3708SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK
IRF3708STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3708STRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3708STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3708STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:30V 62.000A D2PAK - Tape and Reel
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