參數(shù)資料
型號(hào): IRF3708LPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET MOSFET的開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大小: 286K
代理商: IRF3708LPBF
IRF3708/S/LPbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
62A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 10.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
10
100
1000
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3708PBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF3708SPBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF3710LPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 74; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF3710SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 640; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
IRF3711LPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF3708S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF3708SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK