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IRF3711STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-263AB
IRF3711STRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-263AB
IRF3808S	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 75V V(BR)DSS \| 106A I(D) \| TO-263AB
IRF3808STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 75V V(BR)DSS \| 106A I(D) \| TO-262
IRF3808STRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 75V V(BR)DSS \| 106A I(D) \| TO-263AB

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IRF3706	功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3706HR	制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF3706L	功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3706LPBF	功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3706PBF	功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IRF3706

功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRF3706HR

制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220

IRF3706L

功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRF3706LPBF

功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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