參數(shù)資料
型號： IRF3704ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 308K
代理商： IRF3704ZS
www.irf.com
9
Dimensions are shown in millimeters (inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
EXAMPLE:
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
THIS IS AN IRF1010
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
PART NUMBER
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
For GB Production
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3707LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3707PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3707SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3708LPBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF3708PBF SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3704ZSPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.1mOhms 8.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3704ZSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF3704ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3705NS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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