參數資料
型號: IRF3704Z
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 11/12頁
文件大?。?/td> 308K
代理商: IRF3704Z
www.irf.com
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TO-262 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-262 Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
ASSEMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
IGBT
1- GATE
2- COLLEC-
TOR
相關PDF資料
PDF描述
IRF3704ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZS HEXFET Power MOSFET
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IRF3707SPBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF3704ZCLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZCSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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