參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3704STRR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直| 77A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： IRF3704STRR
IRF3704/3704S/3704L
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
0
50
100
150
200
250
300
ID , Drain Current ( A )
0.005
0.010
0.015
0.020
RD
VGS = 4.5V
VGS = 10V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.006
0.007
0.008
0.009
0.010
RD
)
ID = 35.5A
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
11.6A
23.8A
28.4A
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test circuit
and Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3704Z HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZS HEXFET Power MOSFET
IRF3707LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3707PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3704STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZCL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZCLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*