參數(shù)資料
型號(hào): IRF3704S
廠商: International Rectifier
英文描述: CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 9.0mohm,身份證\u003d 77A條)
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大小: 125K
代理商: IRF3704S
IRF3704/3704S/3704L
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0
15
30
45
60
75
90
T , Case Temperature
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
IRF3704STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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IRF3704STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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