參數(shù)資料
型號： IRF3704L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 77A條）
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IRF3704L
IRF3704/3704S/3704L
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25
°
C
TOP 10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
VGS
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175
°
C
TOP 10.0V
9.00V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
VGS
10
100
1000
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
°
-60 -40 -20
0
20 40 60
80 100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
77A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3704S CONNECTOR, PICOFLEX, 4WAY; Connector type:Wire-to-Board; Ways, No. of:4; Termination method:Crimp; Rows, No. of:2; Pitch:1.27mm; Series:91935 RoHS Compliant: Yes
IRF3704STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
IRF3704Z HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZS HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3704LPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3704S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
IRF3704SPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3704STRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*