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參數(shù)資料
| 型號： | IRF350 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRF350 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF351 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF352 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF353 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF350 | 906351263 |
| IRF350 | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF350-353 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V |
| IRF350R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AA |
| IRF351 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF3515L | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3515LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 41A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
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