型號(hào): | IRF3415L |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | RES CRCW08054R7J DALE 3 |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 150伏,的Rds(on)\u003d 0.042ohm,身份證\u003d 43A章) |
文件頁(yè)數(shù): | 3/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 156K |
代理商: | IRF3415L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF3415S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) |
IRF3415 | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) |
IRF3704STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB |
IRF3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A) |
IRF3704L | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF3415LPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 43A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
IRF3415PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF3415S | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3415SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 43A 3PIN D2PAK - Bulk |
IRF3415SPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 133.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |