參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3315SL
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： IRF3315SL
IRF3315S/L
Parameter
Min. Typ. Max. Units
150
–––
–––
0.187 –––
–––
––– 0.082
2.0
–––
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.6
–––
32
–––
49
–––
38
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 12A
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 12A
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 75V
I
D
= 12A
R
G
= 5.1
R
D
= 5.9
,
See Fig. 10
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
95
11
47
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1300 –––
300
160
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nH
7.5
L
S
Internal Source Inductance
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 4.9 mH
R
G
= 25
, I
AS
= 12A. (See Figure 12)
I
SD
≤
12A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRF3315 data and test conditions
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 43A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 43A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
174
1.2
1.3
260
1.7
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
S
D
G
A
21
84
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3315S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
IRF3515STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRF3515STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRF362 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AE
irf36 Inductors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3315SPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3315STRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3315STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3315STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 21A 82mOhm 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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