參數(shù)資料
型號： IRF3315S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏，的Rds（on）\u003d 0.082ohm，身份證\u003d 21A條）
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRF3315S
IRF3315S/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
4.9A
8.5A
12A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3515STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRF3515STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRF362 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AE
irf36 Inductors
IRF3705NS
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參數(shù)描述
IRF3315SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3315SL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRF3315SPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 82mOhms 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3315STRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3315STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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