參數(shù)資料
型號(hào): IRF3305PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 10/10頁
文件大小: 194K
代理商: IRF3305PBF
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3315 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
IRF3415L RES CRCW08054R7J DALE 3
IRF3415S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
IRF3415 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
IRF3704STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 77A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF331 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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IRF3314STRR 功能描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3315 功能描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件