參數(shù)資料
型號(hào): IRF3205S
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 8.0mohm,身份證\u003d已廢除)
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 160K
代理商: IRF3205S
IRF3205S/L
www.irf.com
5
R
D
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
90%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Duty Factor
≤ 0.1 %
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
T , Case Temperature (°
I
LIMITED BY PACKAGE
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
V
DS
10%
Pulse Width
≤ 1
μs
V
DD
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3315 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
IRF3415L RES CRCW08054R7J DALE 3
IRF3415S Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
IRF3415 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3205S_02 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3205SPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205STR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF3205STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3205STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube