參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3205L
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 8.0mohm，身份證\u003d已廢除）
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： IRF3205L
IRF3205S/L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF3315 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
IRF3415L RES CRCW08054R7J DALE 3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF3205LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3205PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 55V 98A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 55V, 98A, TO-220
IRF3205PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF3205S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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