型號(hào): | IRF300 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
中文描述: | 50W到500W的大功率線繞電阻扁形鋁殼 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 84K |
代理商: | IRF300 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF500 | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
IRF200S100RJ | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
IRF500C10RJ | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
IRF100 | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
IRN100 | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF3000 | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3000PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF3000TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-Pin SOIC T/R |
IRF3007 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
IRF3007L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |