參數(shù)資料
型號: IRF2907Z
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽車MOSFET的
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 361K
代理商: IRF2907Z
8
www.irf.com
Fig 17.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
"!!
#$$
!"!!%"
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
&'
#
≤ 1
(
≤ 0.1 %
+
-
Fig 18a.
Switching Time Test Circuit
Fig 18b.
Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF2907ZS-7PPBF IRF2907ZS-7PPBF
IRF3205L Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3205S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)
IRF3305PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF2907ZL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2907ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2907ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2907ZS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2907ZS-7PPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube