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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF250SMD |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):14A,Rds(on):0.1Ω)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Vdss:200V,Id(cont):14A,Rds(on):0.1Ω)) |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：200伏，身份證（續(xù)）：14A條的Rds（on）：0.1Ω）（不適用馬鞍山溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管（減振鋼板基本：200伏，身份證（續(xù)）：14A條的Rds（on） ：0.1Ω）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | IRF250SMD |
IRF250SMD
Prelim. 7/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukV
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
2
Peak Diode Recovery
3
Operating and Storage Temperature Range
Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to PCB (Typical)
(V
GS
= 0 , T
case
= 25°C)
(V
GS
= 0 , T
case
= 100°C)
E
AS
dv/dt
T
J
, T
stg
T
L
R
q
JC
R
q
J–PCB
±20V
22A
14A
88A
100W
0.8W/°C
500mJ
5.0V/ns
–55 to 150°C
300°C
1.25°C/W
3°C/W
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
SMD1 Package
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width
￡
300ms,
d ￡
2%
2) @ V
DD
= 50V , L
3
1.5mH , R
G
= 25
W
, Peak I
L
= 22A , Starting T
J
= 25°C
3) @ I
SD
￡
22A , di/dt
￡
190A/
m
s , V
DD
￡
BV
DSS
, T
J
￡
150°C , SUGGESTED R
G
= 2.35
W
N–CHANNEL
POWER MOSFET
FEATURES
HERMETICALLY SEALED SURFACE
MOUNT PACKAGE
SMALL FOOTPRINT – EFFICIENT USE OF
PCB SPACE.
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
HIGH PACKING DENSITIES
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
Note:
IRFNxxx also available with
pins 1 and 3 reversed.
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
200V
14A
0.100
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF250SM | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | LLCC |
| IRF2525 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
| IRF255 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA |
| IRF2805 | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| IRF2807STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF251 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| IRF251R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE |
| IRF252 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF2525 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
| IRF252R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE |
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