參數(shù)資料
型號(hào)： IRF236
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 8.1 A, 275 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： IRF236
5-6
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D,
DRAIN CURRENT (A)
3
6
9
12
0
15
10
8
6
0
4
g
f
,
80
μ
s PULSE TEST
2
V
DS
≥
50V
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
2
10
1
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
Q
g(TOT),
TOTAL GATE CHARGE (nC)
10
20
30
40
0
50
4
20
8
V
G
16
V
DS
= 200V
I
D
= 8.1A
V
DS
= 50V
12
0
V
DS
= 125V
IRF234, IRF235, IRF236, IRF237
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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