參數(shù)資料
型號: IRF1312STRR
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 95A章一(d)|對263AB
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代理商: IRF1312STRR
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
ID
LIMITED BY PACKAGE
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PDF描述
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IRF1324PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1324S-7PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube