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參數(shù)資料
| 型號： | IRF130SMD |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)) |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：11A條的Rds（on）：0.19Ω）（不適用馬鞍山溝道功率場效應管（減振鋼板基本：100V的，身份證（續(xù)）：11A條的Rds（on） ：0.19Ω）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | IRF130SMD |
IRF130SMD
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukPrelim. 1/00
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
stg
R
q
JC
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
–55 to 150°C
2.8°C/W max.
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
SMD 1
N–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
FEATURES
HERMETICALLY SEALED
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
100V
11A
0.19
W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1404Z | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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