參數(shù)資料
型號： IRF1104SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IRF1104SPBF
IRF1104
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
24A
42A
60A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRF1302PBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 256; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 78; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRF130 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
IRF130 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF130 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF130-133 N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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