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參數(shù)資料
| 型號： | IRF101 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET，27甲，60 - 100V的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | IRF101 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF140 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF142 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF143 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF140 | 28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF140 | TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF1010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| IRF1010E | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| IRF1010EHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 84A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRF1010EL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF1010ELPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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