參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1010N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 11mohm，身份證\u003d 85A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRF1010N
IRF1010N
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 43A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 43A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
69
220
1.3
100
230
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
85
290
A
Starting T
J
= 25°C, L = 270μH
R
G
= 25
, I
AS
= 43A, V
GS
=10V (See Figure 12)
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
I
SD
≤
43A, di/dt
≤
210A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
This is a typical value at device destruction and represents
operation outside rated limits.
This is a calculated value limited to T
J
= 175°C .
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 75A.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.058 –––
–––
–––
2.0
–––
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
–––
76
–––
39
–––
48
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 43A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 43A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 43A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 43A
R
G
= 3.6
V
GS
= 10V, See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
I
AS
= 4.3A, L = 270μH
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
m
V
S
11
4.0
–––
25
250
100
-100
120
19
41
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
E
AS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Single Pulse Avalanche Energy
–––
–––
–––
––– 1030
250
3210
690
140
–––
–––
–––
pF
mJ
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF1010ZPBF Replacement for Texas Instruments part number 54BCT648/BKA. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
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IRF1010Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1010ZL AUTOMOTIVE MOSFET
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