參數(shù)資料
型號(hào): IR2112S
廠商: International Rectifier
英文描述: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
中文描述: 高端和低端驅(qū)動(dòng)
文件頁(yè)數(shù): 17/17頁(yè)
文件大?。?/td> 176K
代理商: IR2112S
IR2112(S) & (PbF)
www.irf.com
9
Figure 14B. High Level Output vs. Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
12
14
16
18
20
VBA IS
S upply V o tage (V )
Hi
gh
L
e
ve
lO
u
tp
u
t
V
o
lta
g
e
(V
)
Ma x .
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Low
Level
Output
Voltage
(V)
Temperature (°C)
Max.
Figure 15A. Low Level Output vs. Temperature
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
12
14
16
18
20
Low
Level
Output
Voltage
(V)
Max.
VBIAS Supply Votage (V)
Figure 15B. Low Level Output vs. Voltage
0
100
200
300
400
500
-50-25
0
25
50
75100
125
Offset
Supply
Leakage
Current
(uA)
Max.
Figure 16A. Offset Supply Current vs.
Temperature
Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
600
Offset
Supply
Leakage
Current
(uA)
Max .
V B B oos t V oltage (v)
Figure 16B. Offset Supply Current vs. Voltage
0
20
40
60
80
100
-5 0
-25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
VBS
Supply
Current
(uA)
Te m perature (°C )
Figure 17A. VBS Supply Current vs. Temperature
Max.
Typ.
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PDF描述
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參數(shù)描述
IR2112SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2112STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2113 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IR2113-1 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件