參數(shù)資料
型號(hào)： IPU07N03L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Buck converter series
中文描述： 的OptiMOS降壓轉(zhuǎn)換器系列
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： IPU07N03L
2003-01-17
Page 2
IPD07N03L
IPU07N03L
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
0.68
1
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
R
thJA
-
-
100
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
3)
R
thJA
-
-
-
-
75
50
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
V
(BR)DSS
30
-
-
V
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 80 μA
V
GS(th)
1.2
1.6
2
Zero gate voltage drain current
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
I
DSS
-
-
0.01
10
1
100
μA
Gate-source leakage current
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
V
GS
=4.5V,
I
D
=30A
R
DS(on)
-
7.7
9.9
m
Drain-source on-state resistance
V
GS
=10V,
I
D
=30A
R
DS(on)
-
5.7
6.8
1Current limited by bondwire ; with an
R
thJC
= 1K/W the chip is able to carry
I
D
= 116A at 25°C, for detailed
information see app.-note ANPS071E available at
www.infineon.com/optimos
2Defined by design. Not subject to production test.
3Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD13N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF09N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF13N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
IPU07N03LA 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPU090N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPU090N03LG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPU090N03LGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU09N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
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