參數(shù)資料
型號： IPS03N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications
中文描述： 適用于高頻率DC / DC轉換器，合格為目標，根據(jù)JEDEC的應用
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： IPS03N03LA
IPD03N03LA G IPS03N03LA G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
90
A
T
C
=100 °C
90
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
360
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=90 A,
R
GS
=25
300
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=90 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
115
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD Version)
3.2
m
I
D
90
A
Product Summary
Type
IPD03N03LA G
IPS03N03LA G
Package
P-TO252-3-11
P-TO251-3-11
Ordering Code
Q67042-S4249
Q67042-S4253
Marking
03N03LA
03N03LA
Rev. 0.93 - target data sheet
page 1
2004-10-27
相關PDF資料
PDF描述
IPS042G DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
IPS05N03LA RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
IPF05N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD05N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD05N03LB OptiMOS2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPS03N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 90A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS03N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPS03N03LAGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPS03N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS03N03LBG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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