參數(shù)資料
型號(hào)： IPS022G
廠商： International Rectifier
英文描述： DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述： 雙充分保護(hù)功率MOSFET開關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 95K
代理商： IPS022G
IPS022G
www.irf.com
3
Recommended Operating Conditions
These values are given for a quick design. For operation outside these conditions, please consult the application notes.
Symbol Parameter
Vds (max)Continuous drain to source voltage
VIH
High level input voltage
VIL
Low level input voltage
Ids
Continuous drain current
(TAmbient = 85
o
C, IN = 5V, rth = 100
o
C/W, Tj = 85
o
C)
Rin
Recommended resistor in series with IN pin
Tr-in (max) Max recommended rise time for IN signal (see fig. 2)
Fr-Isc
(2)
Max. frequency in short circuit condition (Vcc = 14V)
Min.
—
4
0
Max. Units
35
6
0.5
—
0.5
—
0
1
5
1
1
A
k
μ
S
kHz
V
(2) Operations at higher switching frequencies is possible. See Appl. notes.
Switching Electrical Characteristics
Vcc = 14V, Resistive Load = 10
, Rinput = 50
,
100
μ
s
pulse, T
j
= 25
o
C, (unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Ton
Turn-on delay time
Tr
Rise time
Trf
Time to 130% final Rds(on)
Toff
Turn-off delay time
Tf
Fall time
Qin
Total gate charge
Min.
0.15
0.4
2
0.8
0.5
—
Typ.
0.5
0.9
6
2
1.3
3.3
Max. Units Test Conditions
1
2
12
3.5
2.5
—
nC
Vin = 5V
See figure 2
See figure 2
μ
s
Symbol Parameter
Rds(on)
ON state resistance Tj = 25
o
C
Tj = 150
o
C
Idss 1
Drain to source leakage current
Idss 2
Drain to source leakage current
V
clamp 1
Drain to source clamp voltage 1
V
clamp 2
Drain to source clamp voltage 2
Vin
clamp
IN to source clamp voltage
Vth
IN threshold voltage
Iin, -on
ON state IN positive current
Iin, -off
OFF state IN positive current
Min.
100
—
0
0
48
50
7
1
25
50
Typ.
130
220
0.01
0.1
54
56
8
1.5
90
130
Max. Units Test Conditions
150
280
25
Vcc = 14V, Tj = 25
o
C
50
Vcc = 40V, Tj = 25
o
C
56
Id = 20mA
(see Fig.3 & 4)
60
9.5
Iin = 1 mA
2
Id = 50mA, Vds = 14V
200
Vin = 5V
250
Vin = 5V
over-current triggered
Static Electrical Characteristics
Standard footprint 70
μ
m copper thickness. (Tj = 25
o
C unless otherwise specified.)
m
Vin = 5V, Ids = 1A
Id=Ishutdown
(see Fig.3 & 4)
V
μ
A
μ
A
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IPS031G 功能描述:IC MOSFET PWR SW SGL 12A 8-SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
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