參數(shù)資料
型號(hào)： IPI25N06S3L-22
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPI25N06S3L-22
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
13 Typical avalanche energy
14 Drain-source breakdown voltage
E
AS
= f(
T
j
);
V
BR(DSS)
= (
T
j
);
I
D
= 1 mA
parameter:
I
D
15 Typ. gate charge
16 Gate charge waveforms
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 25 A pulsed
parameter:
V
DD
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
11 V
44 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
Q
gate
[nC]
30
40
50
V
G
12A
8A
5A
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
50
100
150
200
T
j
[°C]
E
A
V
G
Q
gat
Q
g
Q
g
Q
g
Rev. 1.0
page 7
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPI26CN10N G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI26CN10NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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IPI26CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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