參數(shù)資料
型號： IPD640N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 361K
代理商： IPD640N06LG
IPD640N06L G
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
For fast switching converters and sync. rectification
N-channel enhancement - logic level
175 °C operating temperature
Avalanche rated
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
18
A
T
C
=100 °C
12
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
1)
72
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=18 A,
R
GS
=25
43
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=18 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
47
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
1)
See figure 3
V
DS
60
V
R
DS(on),max
64
m
I
D
18
A
Product Summary
Type
Package
IPD640N06L G
Marking
640PG-TO252-3
Type
IPD640N06L G
PG-TO252-3
Rev. 1.2
page 1
2006-03-27
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD64CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD800N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPD640N06LG_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification
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IPD64CN10NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD64CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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