參數(shù)資料
型號(hào)： IPB16CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 623K
代理商： IPB16CN10NG
IPB16CN10N G IPD16CN10N G
IPI16CN10N G IPP16CN10N G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
≥
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.01
page 4
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD16CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI16CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI16CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB16CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB16CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB16CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB16CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 53A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB17N25S3-100 功能描述:MOSFET Infineon MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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