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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPB14N03LA |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | MULTI DVI RECEIVER - FIBER |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | IPB14N03LA |
IPB14N03LA
IPI14N03LA, IPP14N03LA
Package Outline
P-TO263-3-2: Outline
Footprint
Packaging
Dimensions in mm
Rev. 1.3
page 8
2003-12-18
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI14N03LA | MULTI DVI DAISY CHAINABLE RECEIVER -FIBER |
| IPP14N03LA | MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER |
| IPB15N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPP15N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPB16CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB14N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPB14N03LAG | 功能描述:MOSFET N-CH 25 V 30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB14N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB14N03LANT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R |
| IPB14N03LAT | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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