參數(shù)資料
型號： IPB12CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 626K
代理商： IPB12CN10NG
IPB12CN10N G IPD12CN10N G
IPI12CN10N G IPP12CN10N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=67 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
50 V
80 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
Q
gate
[nC]
30
40
50
V
G
90
95
100
105
110
115
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.02
page 7
2006-06-02
相關PDF資料
PDF描述
IPD12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI12CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB12CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS
IPB12CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 67A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB12CNE8N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPB12CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 67A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB12CNE8N_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
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