參數(shù)資料
型號： IPB100N04S2L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 163K
代理商： IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03
13 Typical avalanche energy
14 Typ. gate charge
E
AS
= f(
T
j
)
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 80 A pulsed
parameter:
I
D
=80A
15 Typ. drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
25
75
125
175
T
j
[°C]
E
A
V
GS
Q
gate
Q
gs
Q
gd
Q
g
8V
32V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
Q
gate
[nC]
V
G
36
38
40
42
44
46
48
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
Rev. 1.0
page 7
2006-03-02
相關PDF資料
PDF描述
IPB100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB100N04S2L03ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPB100N04S303 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IPB100N04S4-02D 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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