參數(shù)資料
型號(hào)： IPB065N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 444K
代理商： IPB065N06LG
IPB065N06L G IPP065N06L G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
3800
5100
pF
Output capacitance
C
oss
-
890
1200
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
220
330
Turn-on delay time
t
d(on)
-
11
17
ns
Rise time
t
r
-
21
32
Turn-off delay time
t
d(off)
-
60
90
Fall time
t
f
-
20
30
Gate Charge Characteristics
4)
Gate to source charge
Q
gs
-
13
18
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
6
8
Gate to drain charge
Q
gd
-
42
63
Switching charge
Q
sw
-
49
72
Gate charge total
Q
g
-
118
157
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.5
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
-
35
47
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
80
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
320
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=80 A,
T
j
=25 °C
-
0.95
1.3
V
Reverse recovery time
t
rr
-
60
76
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
92
115
nC
4)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=30 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
=1 MHz
V
DD
=30 V,
V
GS
=4.5V,
I
D
=80 A,
R
G
=1.6
V
DD
=30 V,
I
D
=80 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.1
page 3
2006-05-05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB065N06LG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOSa?￠ Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification
IPB065N06LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB065N15N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB065N15N3 G E8187 功能描述:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB065N15N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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