參數(shù)資料
型號： IPB048N06LG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： IPB048N06LG
IPP048N06L G IPB048N06L G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
5700
7600
pF
Output capacitance
C
oss
-
1500
2000
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
350
525
Turn-on delay time
t
d(on)
-
18
27
ns
Rise time
t
r
-
25
38
Turn-off delay time
t
d(off)
-
98
150
Fall time
t
f
-
24
36
Gate Charge Characteristics
4)
Gate to source charge
Q
gs
-
20
26
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
9.1
12
Gate to drain charge
Q
gd
-
54
81
Switching charge
Q
sw
-
64
95
Gate charge total
Q
g
-
169
225
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.5
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
-
47
63
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
100
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
400
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
-
0.93
1.3
V
Reverse recovery time
t
rr
-
65
80
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
125
160
nC
4)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=30 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
=1 MHz
V
DD
=30 V,
V
GS
=4.5 V,
I
D
=100 A,
R
G
=1.3
V
DD
=30 V,
I
D
=100 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.11
page 3
2006-04-20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB050N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB048N06LGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB049N06L3 G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB049N06L3G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPB049N06L3GATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB049N06L3GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
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