參數(shù)資料
型號： IPB048N06L
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： IPB048N06L
IPP048N06L G IPB048N06L G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=100 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
270 μA
2700 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
5
10
4
10
3
10
2
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C 98%
175 °C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.11
page 6
2006-04-20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB048N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB050N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB048N06L G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB048N06LG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 100A TO263
IPB048N06LGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
IPB049N06L3 G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB049N06L3G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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