參數(shù)資料
型號(hào)： IPB03N03LB
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 291K
代理商： IPB03N03LB
IPB03N03LB
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1
K/W
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
30
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=100 μA
1.2
1.6
2
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
10
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=4.5 V,
I
D
=55 A
-
3.2
3.9
m
V
GS
=10 V,
I
D
=55 A
-
2.3
2.8
Gate resistance
R
G
-
0.9
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=60 A
139
-
S
4)
T
j,max
=150 °C and duty cycle
D
<0.25 for
V
GS
<-5 V
5)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
5
Diagrams are related to straight lead versions.
Values
2)
Current is limited by bondwire; with an
R
thJC
=1 K/W the chip is able to carry 173 A.
3)
See figure 3
Rev. 0.94
page 2
2006-05-10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB048N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB048N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB04N03LA Circular Connector; No. of Contacts:10; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-10
IPB04N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB03N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB03N03LBG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB03N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB041N04N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB041N04NG 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?3 Power-Transistor
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