參數(shù)資料
型號: IPA60R385CP
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: CoolMOS Power Transistor
中文描述: 的CoolMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 272K
代理商: IPA60R385CP
IPA60R385CP
1 Power dissipation
2 Safe operating area
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
parameter:
t
p
3 Max. transient thermal impedance
4 Typ. output characteristics
Z
thJC
=f(
t
P
)
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
parameter:
D=t
p
/
T
parameter:
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
P
t
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
10
3
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
DS
[V]
I
D
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
p
[s]
Z
t
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
8 V
10 V
20 V
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
Rev. 1.5
page 4
2006-01-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB03N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB03N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP03N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB03N03LB OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB048N06L OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPA60R385CP_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:CoolMos Power Transistor
IPA60R385CPXKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
IPA60R450E6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPA60R450E6XKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
IPA60R520C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件