參數(shù)資料
型號： ILQ621GB-X017
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB - Optocoupler, Phototransistor Outtput (Dual, Quad Channel)
中文描述： Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Quad CTR > 100%
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： ILQ621GB-X017
Document Number: 83654
Rev. 1.5, 20-Dec-07
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3
ILD621/ILD621GB/ILQ621/ILQ621GB
Optocoupler, Phototransistor Output
(Dual, Quad Channel)
Vishay Semiconductors
Note
T
= 25 °C, unless otherwise specified.
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
INPUT
Forward voltage
Reverse current
Capacitance
Thermal resistance, junction to lead
OUTPUT
Collector emitter capacitance
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
= 10 mA
V
R
= 6.0 V
V
F
I
R
C
O
R
THJL
1.0
1.15
0.01
40
750
1.3
10
V
μA
pF
K/W
V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz
V
CE
= 5.0 V, f = 1.0 MHz
C
CE
I
CEO
I
CEO
R
THJL
6.8
10
20
500
pF
nA
μA
K/W
Collector emitter leakage current
V
CE
= 24 V
100
50
Thermal resistance, junction to lead
COUPLER
Capacitance (input to output)
Insulation resistance
Channel to channel insulation
V
IO
= 0 V, f = 1.0 MHz
V
IO
= 500 V
C
IO
0.8
10
12
500
pF
Ω
VAC
Collector emitter saturation voltage
I
F
= 8.0 mA, I
CE
= 2.4 mA
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
V
CEsat
0.4
V
I
F
= 1.0 mA, I
CE
= 0.2 mA
V
CEsat
0.4
V
CURRENT TRANSFER RATIO
PARAMETER
Channel/channel
CTR match
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
CTRX/
CTRY
CTR
CEsat
CTR
CEsat
CTR
CEsat
CTR
CEsat
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
= 5.0 mA, V
CE
= 5.0 V
1 to 1
3 to 1
%
Current transfer ratio
(collector emitter
saturated)
I
F
= 1.0 mA, V
CE
= 0.4 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
60
60
%
%
%
%
%
%
%
%
30
30
50
50
100
100
Current transfer ratio
(collector emitter)
I
F
= 5.0 mA, V
CE
= 5.0 V
80
80
200
200
600
600
600
600
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
NON-SATURATED
On time
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
Rise time
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
Off time
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
Fall time
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
Propagation H to L
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
Propagation L to H
I
F
= ± 10 mA, V
CC
= 5.0 V, R
L
= 75
Ω
, 50 % of V
PP
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
t
on
t
r
t
off
t
f
t
PHL
t
PLH
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
μs
μs
μs
μs
μs
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ILD621GB-X001 Optocoupler DC-IN 2-CH Transistor DC-OUT 8-Pin PDIP
ILQ621GB-X016 Optocoupler DC-IN 4-CH Transistor DC-OUT 16-Pin PDIP
ILQ66-4 Optocoupler DC-IN 4-CH Darlington DC-OUT 16-Pin PDIP
ILD66-4X007T OPTOCOUPL DC-IN 2CH DARL DC-OUT 8PDIP SMD - Tape and Reel
ILQ66-1 Optocoupler DC-IN 4-CH Darlington DC-OUT 16-Pin PDIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ILQ621GB-X017T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ621-X001 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ621-X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ621-X007 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILQ621-X007T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Quad CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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