參數(shù)資料
型號： ILD615-4
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 光電耦合器
英文描述： PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER
中文描述： 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 164K
代理商： ILD615-4
www.vishay.com
4
Document Number 83652
Rev. 1.3, 19-Apr-04
VISHAY
ILD615/ ILQ615
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
Output
Coupler
Current Transfer Ratio
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage
IF = 10 mA
VF
1.0
1.15
1.3
V
Breakdown voltage
IR = 10 AVBR
6.0
30
V
Reverse current
VR = 6.0 V
IR
0.01
10
A
Capacitance
VR = 0 V, f = 1.0 MHz
CO
25
pF
Thermal resistance, junction to
lead
RTHJL
750
K/W
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-emitter capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CCE
6.8
pF
Collector-emitter leakage
current, -1, -2
VCE = 10 V
ICEO
2.0
50
nA
Collector-emitter leakage
current, -3, -4
VCE = 10 V
ICEO
5.0
100
nA
Collector-emitter breakdown
voltage
ICE = 0.5 mA
BVCEO
70
V
Emitter-collector breakdown
voltage
IE = 0.1 mA
BVECO
7.0
V
Thermal resistance, junction to
lead
RTHJL
500
K/W
Package transfer characteristics
Channel/Channel CTR match
IF = 10 mA, VCE = 5.0 V
CTRX/
CTRY
1 to 1
2 to 1
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Capacitance (input-output)
VIO = 0 V, f = 1.0 MHz
CIO
0.8
pF
Insulation resistance
VIO = 500 V, TA = 25 °C
RS
1012
1014
Channel to channel isolation
500
VAC
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Current Transfer Ratio
(collector-emitter saturated)
IF = 10 mA, VCE = 0.4 V
ILD615-1
ILQ615-1
CTRCEsat
25
%
ILD615-2
ILQ615-2
CTRCEsat
40
%
ILD615-3
ILQ615-3
CTRCEsat
60
%
ILD615-4
ILQ615-4
CTRCEsat
100
%
相關PDF資料
PDF描述
IL222AT PHOTODARLINGTON SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT OPTOCOUPLER
IL252 BIDIRECTIONAL INPUT OPTOCOUPLER
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IN4937 SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES
IDT77V012L155DA Data Path Interface to UTOPIA Level 1 Header Translation Device
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ILD615-4X001 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 DIP-8 CPL DUAL 160-320% CTR V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILD615-4X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILD615-4X009 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SMD-8 CPL DUAL 160-320% CTR - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILD615-4X009T 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
ILD615-4X016 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 DIP-8 CPL DUAL 160-320% CTR V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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