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參數(shù)資料
| 型號： | IL350 |
| 英文描述： | PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 中文描述： | 光伏輸出光耦合器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | IL350 |
www.infineon.com/opto 1-888-Infineon (1-888-463-4636)
OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Regensburg, Germany
www.osram-os.com +49-941-202-7178
2000 Infineon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
IL350/351/358/359
2
March 8, 2000-01
Electrical Characteristics
T
A
=25
°
C
Bin Table
Bin
LED Emitter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Forward Voltage
V
F
—
1.8
2.1
V
I
F
=10 mA
Reverse Current
I
R
V
—
.01
10
μ
A
V
R
=3.0 V
V
F
Temperature Coefficient
F
/
°
C
—
–2.2
—
mV/
°
C
—
Junction Capacitance
C
J
V
—
15
—
pF
V
F
=0 V, f=1.0 MHz
Dynamic Resistance
F
/
I
F
—
6.0
—
I
F
=2.5 mA
I
F
=1.0 mA
Switching Time IL358/9
t
f
—
40
—
ns
t
r
—
40
—
ns
Detector
Junction Capacitance
C
J
—
12
—
pF
V
F
=0 V, f=1.0 MHz
NEP
—
—
<4
–14
—
W/
√
Hz
V
DET
=0 V
AC Characteristics Photovoltaic Mode
Frequency Response
IL358/9
BW(–3dB)
—
1.0
—
MHz
I
Modulation current
IP1=
±
6.0
P1
=25
μ
A
μ
A
Phase Response
—
—
45
—
Deg.
Rise Time
—
—
350
—
ns
Package
Input-Output Capacitance
C
IO
—
1.0
—
pF
V
F
=0 V, f=1.0 MHz
Common Mode Capacitance
C
cm
—
0.5
—
pF
V
F
=0 V, f=1.0 MHz
Coupled Characteristics
K1 at
I
F
=2.0 mA,
V
D
=0 V
K3 Bins
Min.
Typ.
Max.
IL350
0.003
—
—
A–J
IL351
0.005
—
—
D, E, F, G
IL358
0.008
—
—
C,D, E, F, G, H
IL359
0.008
—
—
E, F
Min.
Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
0.557
0.620
0.690
0.765
0.851
0.945
1.051
1.169
1.297
1.442
0.626
0.696
0.773
0.859
0.955
1.061
1.181
1.311
1.456
1.618
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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