參數(shù)資料
型號(hào)： IKB03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: .47uF; Voltage: 35V; Case Size: 3.2x1.6 mm; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 高速2技術(shù)與軟，恢復(fù)快反平行何快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大?。?/td> 431K
代理商： IKB03N120H2
IKP03N120H2,
IKW03N120H2
IKB03N120H2
Power Semiconductors
9
Rev. 2, Mar-04
V
G
,
G
-
E
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
10
0
K/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
V
G
,
G
-
E
0nC
10nC
20nC
30nC
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=240V
U
CE
=960V
Q
,
GATE CHARGE
Q
,
GATE CHARGE
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 3A)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
= 3A)
C
,
C
0V
10V
20V
30V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
V
C
,
C
-
E
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0V
200V
400V
600V
800V
1000V
0A
1A
2A
3A
I
C
C
C
U
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a
function of collector-emitter voltage
(
V
GE
= 0V,
f
= 1MHz)
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 20. Typical turn off behavior, hard
switching
(V
GE
=15/0V,
R
G
=82
,
T
j
= 150
°
C,
Dynamic test circuit in Figure E)
R
,(K/W )
1.082517
0.328671
0.588811
τ
,
(s)
0.000795
0.000179
0.004631
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IKW25T120 TRENCHSTOP SERIES
IKW40T120 LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE
IKW50N60T Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IL-G-xxP-S3x2 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
IL-G-15P-S3C2-E 2.5mm Contact Spacing PCB-to-Cable Connectors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IKB03N120H2ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
IKB03P-9/4 制造商:TE Connectivity 功能描述:LEGEND STRIP WHITE/YELLOW
IKB06N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IKB06N60TATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 12A 88W TO263-3
IKB10N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*