參數(shù)資料
型號(hào)： IHW15N120R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開(kāi)展與IGBT的單片體二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 370K
代理商： IHW15N120R
IHW15N120R
Soft Switching Series
q
Power Semiconductors
4
Rev. 2.1 July 06
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
20A
40A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
1A
10A
DC
10μs
t
p
=1μs
50μs
500μs
5ms
20μs
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency for hard
switching (turn-off)
(
T
j
≤
175
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 600V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 54.1
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. IGBT Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
175
°
C;
V
GE
=15V)
P
t
,
D
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0W
50W
100W
150W
200W
250W
300W
350W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
10A
20A
30A
40A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function of
case temperature
(
T
j
≤
175
°
C)
Figure 4. DC Collector current as a function
of case temperature
(
V
GE
≥
15V,
T
j
≤
175
°
C)
I
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IHW15T120 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IHW20N120R2 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20T120 Soft Switching Series
IHW30N100R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
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參數(shù)描述
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IHW15N120R2XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IHW15N120R3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
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