參數(shù)資料
型號： IGP03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： IGP03N120H2
IGP03N120H2,
IGW03N120H2
IGB03N120H2
Power Semiconductors
4
Rev. 2, Mar-04
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
,01A
0,1A
1A
10A
100
μ
s
DC
500
μ
s
10
μ
s
5
μ
s
50
μ
s
t
p
=1
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 82
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
10W
20W
30W
40W
50W
60W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
150°C
0A
2A
4A
6A
8A
10A
12A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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PDF描述
IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology
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IGP10N60T 功能描述:IGBT 晶體管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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