參數(shù)資料
型號： IGB03N120H2
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HighSpeed 2-Technology
中文描述： 高速2 -技術(shù)
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： IGB03N120H2
IGP03N120H2,
IGW03N120H2
IGB03N120H2
Power Semiconductors
12
Rev. 2, Mar-04
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance L
σ
= 180nH,
Stray capacitor C
σ
= 40pF,
Relief capacitor C
r
= 4nF (only for
ZVT switching)
Figure B. Definition of switching losses
V
DC
DUT
(Diode)
L
σ
R
G
DUT
(IGBT)
L
L
σ
C
σ
C
r
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PDF描述
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IGB15N60TATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 600V 15A 130W TO263-3-2
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